Vishay发布具有极高辐射强度的新款红

　　VSLY5850具有600mW/sr的极高辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间,采用独特的表面发射器技术和抛物线型透镜实现± °半强角

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布， 推出采用抛物线型透镜实现± °极窄半强角的新款850nm红外发射器--- VSLY5850，扩充其光电子产品组合。基于独特的表面发射器芯片技术，VSLY5850在100mA驱动电流下可提供高达600mW/sr的辐射强度、55mW的光功率和10ns的开关时间。

　　VSLY5850所采用的表面发射器技术代表了一种特殊的硅片结构，在这种结构中，半导体内产生的全部光线都会由芯片的顶侧表面向外发射。这种结构大大减少了从器件的5mm T1 塑料封装的侧面向外发射的光线，为用户提供一个窄角度、定向良好的发射光束，而对侧面的影响微乎其微。

　　发射器的超高辐射强度使其能在低驱动电流的情况下实现很高的发光强度，比同级别辐射强度的红外发射器的功耗减少 倍，从而在电池供电的红外应用中延长工作寿命。

　　VSLY5850针对CMOS摄像头中的红外照明、火灾报警系统和烟感探测器进行了优化。发射器的快速开关时间还使其成为道路收费系统、交通流量控制和牌照灯中长距离数据传输的高调制频率应用的理想之选。器件的高光功率使设计者能够减少器件数量，并在这些应用中改善性能，或是用同样数量的器件实现更好的性能。

　　新发射器可在-40℃～+85℃的温度范围内工作，适合高脉冲电流工作。VSLY5850符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，并符合IEC 的无卤素规范。

　　新款VSLY5850发射器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。