设计上较其它竞争对手的MCU更为省电夏季

东芝和NEC日前共同开发出了读写时数据传输速度高达200MB/秒的16Mbit MRAM。在2006年2月6日于美国旧金山开幕的“ISSCC 2006”会议上进行了发表。假想应用于便携终端，采用+1.8V电源电压。利用磁阻效应的MRAM具有其他新一代非挥发性内存所没有的特点——可擦写数次事实上是无限的。

过去，由于产生写入磁场的电流驱动电路会对周围内存单元的读取动作产生不利影响等缘由，MRAM很难提高工作速度。

此次，东芝和NEC通过在布线结构上下工夫，将读取与写入线路分离开来，从而减轻了写入用电流驱动电路对周围内存单元产生的影响。另外，还通过把写入电流部份地分开，从而成功将布线电阻减小约 8％。应用这些电路技术后，在至今试制的16Mbit MRAM中实现了最高的数据传输速度、即200MB/秒。工作时的周期时间也仅有 4ns。

另外，通过对整个电路的设计进行优化，将芯片面积缩小到了78.7mm2，比老方法缩小约 0％。试制芯片采取的工艺技术方面，面向MRAM部分为240nm工艺、面向MRAM部分之外则为1 0nm工艺CMOS技术。内存单元面积1.872μm2。

在此次的MRAM开发进程中，东芝和NEC得到了日本新能源与产业技术综合开发机构（NEDO）的扶持。扬州牛皮癣医院

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