半导体电子设备自主可控推升政策空间荐股计划

应满足“股票已在香港证交所上市交易一年以上”等四个条件。联想全部符合那四个条件 半导体、电子设备：自主可控推升政策空间 荐9股 类别： 机构： 研究员：

[摘要]

核心观点：

存储与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等息息相关。全球存储芯片总产值约800亿美元，其中DRAM市场457亿美元，NANDFLASH市场产值 06亿美元，NORFLASH市场产值 亿美元，存储芯片市场空间巨大。

存储关乎安全，基于自主可控的需求才是政策强推的根本原因。近年来，信息存储安全事件频发，信息存储安全一旦受到威胁，将危害到党政军、石油、化工、核能、金融等所有行业的发展，是国家安全整体战略的重要环节。而目前我国储芯片空白，几乎100%依赖进口，信息安全形势严峻。因此，我国必须强力推动存储芯片国产化的发展。

存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大四大特性，国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克，国家意志正强力推进存储芯片国产化。目前，紫光600亿元投入存储芯片工厂，未来将投资 00亿美元主攻存储器芯片制造；武汉新芯240亿美元打造存储器基地；福建晋华集成电路与联电合作开发 2纳米制程的利基型DRAM，投资 70亿元发展存储芯片；合肥投资460亿元建设DRAM工厂。我们看到，在国家意志下，国内多方力量已经着手推进存储芯片国产化。我们也建议中国政府从技术合作、人才支持、系统整合、产业链配套等多角度全方位持续地加大对存储芯片的支持力度。

NANDFLASH前景广阔， DNANDFLASH有望实现中国弯道超车。SSD替代HHD是长久趋势，可引爆NANDFLASH市场需求。

目前，NANDFLASH正从2D到 D全面转型，而从2D走到 D，需要新的技术领域加入，给中国厂商留下了突破的时间与空间。中国厂商若能整合跨领域人才和技术， DNANDFLASH将成为中国存储芯片弯道超车切入点。

DRAM市场需求稳中有升，中国厂商参与有望打破格局。移动端和企业端应用进一步提升DRAM需求量，DRAM市场整体需求呈现稳中有升的态势。目前，DRAM市场以Samsung、SKHynix、Micron为主，未来几年中国厂商持续推进DRAM项目有望打破市场格局。

投资建议：存储芯片作为半导体的基础芯片，战略意义重大，看好中国着力发展存储产业，有望创建新阵营。相关标的：1）存储芯片产业领导者：紫光国芯。2）封装配套企业：深科技、华天科技、长电科技、通富微电。 ）材料与设备企业：七星电子、上海新阳。此外，我们关注兆易创新（IPO获通过）、浪潮集团（收购奇梦达西安研发中心）。其中，我们首推深科技，深科技旗下的沛顿科技已给金士顿和美光配套存储封测多年，技术国际一流，深度受益存储芯片国产化。

投资概要：

驱动因素、关键假设及主要预测：

1、存储产业关乎国家半导体产业发展，关乎国家信息存储安全，国产化刻不容缓。存储芯片产值占半导体的22%，与微处理芯片并称为芯片行业皇冠上的明珠。目前，存储芯片主要被三星、英特尔、东芝等国外大厂垄断，国内几乎全部依赖进口，而存储芯片作为存储信息介质设备，是信息安全的基石，随着国家经济实力不断提升，存储芯片国产化刻不容缓。

2、国内市场广阔，存储新技术层出不穷， DNANDFLASH给予中国厂商发展新机遇。

2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NANDFlash采购规模为66.7亿美元，各占全球DRAM和NAND供货量的21.6%和29.1%，这些存储芯片国内仍旧空白，几乎100%依赖进口。一旦国产厂商能够生产制造性能优越的存储芯片，政府将引导众多厂商将会纷纷采购国产存储存储芯片，其国产替代空间巨大。传统SRAM、ROM、DRAM、NANDFLASH存储技术主要掌握在Samsung、Micron、Sandisk、Toshiba等厂商手里，但FRAM、MRAM、PRAM、RRAM等新兴存储技术仍处于起步阶段，各家仍在同一起跑线上。中国厂商在新存储技术布局较好，以RRAM（阻变存储器）为例，截至2014年10月 0日，在RRAM领域，全球申请人共提交了4168件专利申请，其中，中国申请人提交的专利申请量为410件，位居第四位。

中国厂商有望迎来发展机遇。