飞思卡尔推出四款单晶微波集成电路MMIC

　　飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)宣布推出四款单晶微波集成电路(MMIC)组件──MML09211H、MMA20 12B、MMG15241H和MMG20271H，正式涉足砷化镓(GaAs)市场。这些组件可运用在无线络的巨型基地台、中继器和超威型基地台。

　　这些组件强调低噪声放大器和传送功率放大器－超高射频(RF)的性能对这两个无线基础设备的基本组件极为关键。这些组件同时也为了低耗电而设计，如此可优化能源效率并维持长期可靠度。

　　MML09211H为增强模式的砷化镓应变式高电子迁移率晶体管(pHEMT) MMIC低噪声放大器，理想的应用范围从865～960MHz(兆赫)频带的W-CDMA基地台，到865～960MHz频带的高数据传输率的络都适用。组件提供0.6dB特殊低噪声系数内含电路耗损，同时支持操作范围从400到1,400MHz，在900MHz小信号增益为20dB、P1dB输出功率为21dBm、绝缘时为- 5dB以及在900MHz三阶输出截取点(IP )为 2dBm。

　　MMA20 12B为两阶段的磷化铟镓HBT功率放大器，设计用于无线基地台以及中继器和超威型基地台。具体来说，此组件在超威型基地台上可实现高能源效率，同时满足线性需求。该放大器涵盖1,800～2,200MHz，在2,140MHz展现的P1dB输出功率为 1dBm和26dB的小信号增益。

　　另外两款新型宽带MMIC放大器，同样适用在传送电路中作为驱动放大器使用，或在接收电路中作为第二阶段的低噪声放大器使用。比典型的HBT解决方案更具有出色的线性关系与低电流消耗。MMG15241H是pHEMT组件，涵盖500至2,800MHz，在2140MHz具有噪声系数为1.6dB、P1dB输出功率为24dBm、IP 为 9dBm以及15dB的小信号增益。MMG20271H低噪声放大器涵盖1,500～2,400MHz，在2140MHz具有噪声系数为1.8dB、P1dB输出功率为28dBm、IP 为42.5dBm以及15dB的小信号增益。

　　配合这新款MMIC，飞思卡尔还为MMG 004NT1、MMG 005NT1和MMG 006NT1 GPA推出了应用板和RF特性数据数据。该应用板和数据数据，可以看出MMIC在实际基地台发射组件阵容的能力。最新的数据数据显示，组件的电流消耗可以从最初数据表在些微线性补偿的条件下，减少近50%。