英飞凌低通态电阻SSO8无铅封装Oti

英飞凌科技股份公司在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S 08（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。

SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说，这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D2-Pak封装相同的通态电阻。

“该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感，最大程度降低了对整个器件性能的影响核电发展的速度和规模都极具雄心。到2020年，便于充分利用OptiMOS 硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出。

全新OptiMOS 系列可提供出类拔萃的通态电阻，OptiMOS 40V系列采用SuperSO8封装具备最低1.8 m的通态电阻，OptiMOS 60V采用SuperSO8封装具备最低2.8 m?的通态电阻，OptiMOS 80V采用SuperSO8封装具备最低4.7 m?的通态电阻，与最接近的竞争性产品相比，通态电阻降幅高达50%，为业界树立了新标杆。这些器件的FOM（品质系数，以通态电阻乘以栅极电荷得出）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%，能够更快速实现开关，同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗，提高功率密度，降低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH，比TO-220封装的nH电感低很多，这进一步提升了器件整体效率，最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。SuperSO8封装高度为1mm，Rth-jt （结至顶端的热阻）低于16°K/W，适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在 D集成系统里的PCB模块。

OptiMOS 40V、60V、80V：应用与产品详情

OptiMOS 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用，包括众多产品的SMPS（开关模式电源）、DC/DC转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

采用SuperSO8封装的OptiMOS 可满足多种应用中的快速开关SMPS和DC/DC转换器的需求，譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔离式DC/DC转换器的主侧开关和次侧开关和非隔离（降压）工业转换器，对于这些应用而言，空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至PCB的1°K/W热阻、顶部和双侧冷却功能以及100A持续电流额定值，新的OptiMOS MOSFET系列为40V至80V低电阻MOSFET树立了新标杆。该系列还包括业界首款采用S O8封装的60V和80V击穿电压MOSFET，其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比减少60%。

60V和80V SuperSO8器件与采用TO封装的解决方案相比可使服务器SMPS的效率提高0.5%，或与标准解决方案相比，在通态电阻额定值提高20%的条件下，可获得相同的效率。

供货与定价

全新OptiMOS 40V、60V与80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S O8封装，具有不同的通态电阻额定值。OptiMOS 60V系列现已开始批量生产，40V和80V器件目前只提供样品。

在订购量达到万件时，采用SuperSO8封装且通态电阻为2.8m的OptiMOS 60V单价不超过0导致数百人死伤。.99美元（0.64欧元），采用SuperSO8封装且通态电阻为4.7 m?的OptiMOS 80V单价约为1.1美元（0.70欧元）。在同样订购量下，采用S 08封装的6.7 m? OptiMOS 60V的单价为0.6美元（0. 8欧元），而采用封装的12. m? OptiMOS 80V的单价为0.66美元（0.42欧元）。

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