SiliconGenesis开发出20m

　　美国Silicon Genesis于2009年 月4日宣布，开发出几乎不产生切屑就可制造出厚仅20μm的单结晶硅“PV Foil（太阳能电池箔）”的技术。该公司在08年7月开发出了50μm厚的硅晶圆制造技术。此次，因厚度减薄至20μm，成为“非硅晶圆、非薄膜的新型品种”（该公司），所以称之为“箔型”。

　　制造技术的名称与50μm厚的硅晶圆一样为“PolyMax”。“（厚1～2μm）薄膜技术的优点是硅用量少，单结晶硅晶圆的优点是效率高。而20μm厚的箔型太阳能电池兼有二者的优点”（该公司）。