这些小尺寸器件适合智能手机和可穿戴设备技术

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806- 微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT88 和SOT112 封装的同类型器件少20%。

这些晶体管尺寸小，加上卓越的400mW功耗，有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。Diodes破天荒推出两对采用了DFN0806- 封装的NPN (MMBT 904FA和BC847BFA) 及PNP (MMBT 906FA和BC857BFA) 晶体管，随后将推出在同样封装的预偏置 (数字) 晶体管。

NPN MMBT 904FA及PNP MMBT 906FA晶体管的VCE额定值为40V，能够处理200mA连续电流，以及支持500mA脉冲峰值电流。NPN BC847BFA和PNP BC857BFA器件的额定值则为45V，并可处理100mA连续电流及200mA脉冲电流。

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